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GaP晶体基片

简要描述：磷化镓（GaP）晶体基片

  • 产品型号：
  • 厂商性质：生产厂家
  • 更新时间：2024-10-22
  • 访  问  量：1496
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详细介绍

产品名称：

磷化镓(GaP)晶体基片  


技术参数：

晶体结构：

立方         a =5.4505 ?

生长方法：

提拉法

密度：

4.13  g/cm3

熔点：

1480  oC

热膨胀系数：

5.3 x10-6  / oC

掺杂物质：

掺S              不掺杂

方向：

<111>or<100>     <100>or<111>

类型：

N                 N

热传导率：

2~8 x1017/cm3       4~ 6 x1016/cm3

电阻率W.cm

~0.03             ~0.3

 EPD (cm-2 )

< 3x105            < 3x105


产品规格：

晶体方向：<111>，<100>±0.5o ；

常规尺寸：dia2"x0.35mm ；dia2"x0.43mm；dia3"x0.3mm ；


标准包装：

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

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